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近日，國家互聯(lián)網信息辦公室會同相關部門研究起草《數據安全管理辦法（征求意見稿）》（以下簡稱《辦法》），并向社會公開征求意見。該《辦法》要求，網絡運營者應當參照國家有關標準，采用數據分類、備份、加密等措施加強對個人信息和重要數據保護。數據千萬條，安全條。業(yè)內專家表示，《辦法》無疑對數據中心提出了更加嚴格的要求，而災備成為保障數據和業(yè)務安全的關鍵一環(huán)。數據中心可能因為自然災害以及人為等因素發(fā)生故障，統(tǒng)計顯示，在遭遇災難的同時又沒有災難恢復計劃的企業(yè)中，將有超過80%在兩到三年后退...

中國電信董事長柯瑞文在主旨演講中表示，智慧家庭應用由智能寬帶、智家平臺、智能應用、智能安全、智能服務組成。其中，智能寬帶是基礎，智家平臺是載體，智能應用是方向，智能安全貫穿其中，智能服務是目的?；谶@樣的理解，中國電信的目標是構建以“五智”為主要內容的智慧家庭體系。一是建設智能寬帶。堅持“網隨云動、云網協(xié)同”的方向，積極構筑智能雙千兆和家庭云組成的智能寬帶。智能雙千兆包括千兆光寬和5G，能夠實現(xiàn)智能提速、應用加速。更主要的，雙千兆是接到云上的，家庭云能夠提供數據存儲、應用部署...

5月27日，北京青年報記者了解到，據工信部官微消息，為落實國家網絡提速降費政策，切實履行社會責任，確保實實在在降費、讓廣大群眾明明白白消費，三家基礎電信運營企業(yè)，近期陸續(xù)推出一系列惠民惠企新舉措。其中，中國電信推出全面下調套外流量價格等七大惠民新舉措；中國移動推出“查網齡送流量”六大惠民服務舉措；中國聯(lián)通推出特惠假日流量包等八項惠民便民措施。流量資費優(yōu)惠花樣多在移動通信流量資費方面，中國電信今年1月起全面下調套餐外流量資費至不超過0.03元/MB，套外流量資費降幅達到90%。...

電動汽車正成為普通家庭購車的選項之一，而續(xù)航問題是其擴大市場的一大短板。近期，德國汽車品牌保時捷公布了一項研究成果：功率高達450千瓦的超級充電樁，充電3分鐘可續(xù)航100公里，15分鐘即可充電80%。特斯拉也發(fā)布了新一代超級充電樁，充電時間可縮短一半。這種超級充電樁技術能否幫助電動汽車克服短板呢？的確，超充技術將有助于電動汽車的長途出行，但尚不能*解決續(xù)航短、充電不便的問題。與體積小巧的慢速充電樁相比，超級充電樁對供電線路要求高、占地面積大，無法安裝在普通車位上?？紤]到建設與...

國產軟件，如操作系統(tǒng)、數據庫、辦公軟件等在追趕*的路上，曾經讓人感到遙遙無期，如今這樣的格局正在改變。5月15日，華為發(fā)布AI-Native數據庫GAussDB，宣布通過異構計算創(chuàng)新框架，可以發(fā)揮X86、ARM、GPU、NPU多種算力優(yōu)勢，在標準測試集TPC-DS上，性能比業(yè)界提升50%，。5月17日，金山WPS在珠海軟件園區(qū)舉行媒體開放日，金山辦公副總裁莊湧透露金山WPS的月活躍用戶超過3億，用戶遍布200多個國家和地區(qū)，每天客戶使用WPSOffice創(chuàng)建、編輯、分享的文件...

科技創(chuàng)新能力突出紫光展銳是第三大手機芯片設計企業(yè)，致力于移動通信和物聯(lián)網領域核心芯片的創(chuàng)新研發(fā)及設計，已推出“虎賁”和“春藤”兩*，是產品全面涵蓋2G/3G/4G/5G移動通信技術以及IOT等無線連接技術的企業(yè)之一。在5G通訊技術方面，紫光展銳已于2019年2月推出了代5G基帶芯片-春藤510，邁入梯隊，并將支持*5G終端的商用上市。除了通信和物聯(lián)網芯片外，紫光展銳產品還覆蓋智能電視芯片、AI芯片、射頻前端芯片、高功率器件等多個領域，是的泛芯片供應商。目前紫光展銳在手機芯片*...

近日，2019美國顯示周(SID)在美國圣何塞舉行。SID素以“專業(yè)性強”聞名，匯聚了顯示行業(yè)前沿的科技，是顯示領域規(guī)模大的盛會。SID此次將舉辦地放在有著“硅谷之心”美譽的圣何塞，可謂相得益彰。從SID2019參展廠商的展示重點及創(chuàng)新產品可以看出，柔性顯示、超高清顯示仍是未來顯示行業(yè)發(fā)展的兩大方向，5G對于顯示產業(yè)的創(chuàng)新應用將形成革命性推動，以京東方、華星光電、維信諾等為的中國企業(yè)，正在顯示前沿領域實現(xiàn)集體突破。超高清和柔性是方向液晶短期難今年的SID上，超高清和柔性顯示器...

記者從西安電子科技大學蕪湖研究院獲悉，作為蕪湖大院大所合作的重點項目，國產化5G通信芯片用氮化鎵材料日前在西電蕪湖研究院試制成功，這標志著今后國內各大芯片企業(yè)生產5G通信芯片，有望用上國產材料。據介紹，氮化鎵半導體材料具有寬帶隙、高擊穿場強、高熱導率、低介電常數、高電子飽和漂移速度、強抗輻射能力和良好化學穩(wěn)定性等*物理化學性質。成為繼代半導體硅、第二代半導體砷化鎵之后制備新一代微電子器件和電路的關鍵材料，特別適合于高頻率、大功率、高溫和抗輻照電子器件與電路的研制。西安電子科技...